独立接触石墨烯结构中的共振与非耗散隧穿
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v2 材料科学
摘要
计算了由氮化硼绝缘体隔开的独立接触石墨烯片之间的隧穿电流。描述了两种机制：由无序散射导致动量转移的耗散隧穿跃迁，以及由能谱电子支与空穴支相交引起的非耗散隧穿机制。考虑了背栅和双栅结构中，隧穿电流对顶部和底部石墨烯层浓度的依赖关系，这些浓度由通过独立接触和栅极施加的电压控制。背栅结构的电流 - 电压特性与近期实验 [Science 335, 947 (2012)] 一致。对于双栅结构，共振耗散隧穿导致响应增强十倍，这对晶体管应用至关重要。
引用
@article{arxiv.1212.1847,
title = {Resonant and non-dissipative tunneling in independently contacted graphene structures},
author = {F. T. Vasko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.1847},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures