掺杂石墨烯-绝缘体-石墨烯结中的单粒子隧穿
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v2
摘要
本文从理论上研究了由n型和p型掺杂石墨烯之间形成的隧穿结的特性。计算了在石墨烯二维电子态之间流动的单粒子隧穿电流（2D-2D隧穿）。在使两个电极的狄拉克点对齐的电压偏置下，会产生巨大的共振电流峰。本文计算了该峰的幅度与宽度，并讨论了其在器件中的应用。此外，还讨论了石墨烯电极的旋转对准以及石墨烯结构完整性的影响。
引用
@article{arxiv.1108.4881,
title = {Single-Particle Tunneling in Doped Graphene-Insulator-Graphene Junctions},
author = {R. M. Feenstra and Debdeep Jena and Gong Gu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4881},
year = {2015}
}
备注
23 pages, 9 figures; added Section II(E) and associated figures, and made other minor typographical corrections