半狄拉克 p-n 结中的谷选择性朗道-齐纳振荡
介观与纳米尺度物理
2017-07-26 v2
摘要
我们研究了有带隙二维半狄拉克材料 p-n 结中的输运：这些材料是节点半金属，其能带沿不同晶轴分别呈二次和线性色散。由此产生的电子特性——与 TiO/VO 多层膜和 -(BEDT-TTF)I 盐等材料相关——作为传播角的函数，在单层和双层石墨烯的特性之间连续插值。我们证明，穿越结的隧穿依赖于隧穿势垒相对于晶轴的方向，导致强烈的非单调电流-电压特性，包括在某些区域出现负微分电导。在多谷系统中，这些特征为设计谷选择性输运提供了一条自然的途径。
引用
@article{arxiv.1611.10356,
title = {Valley-Selective Landau-Zener Oscillations in Semi-Dirac p-n Junctions},
author = {K. Saha and R. Nandkishore and S. A. Parameswaran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.10356},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 7 figures, appendices