SymFET：一种提出的对称石墨烯隧穿场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2013-01-07 v1
摘要
本文提出了一种分析模型，用于计算对称隧穿场效应晶体管（SymFET）中的沟道电势和电流 - 电压特性。SymFET 中的电流通过从 n 型石墨烯层到 p 型石墨烯层的隧穿流动。当狄拉克点在特定的漏源偏压 VDS 下对齐时，会出现一个大电流峰值。我们的模型表明，SymFET 的电流对温度的依赖性非常弱。共振电流峰值由化学掺杂和施加的栅极偏压控制。开/关比随石墨烯相干长度和掺杂的增加而增加。对称共振峰值是高速模拟应用的良好候选者，并能实现类似于 BiSFET 的数字逻辑。我们的分析模型还提供了便于分析诸如共振峰值的半高全宽（FWHM）和非线性电流的高阶谐波等特征的优势。SymFET 利用了二维石墨烯能带结构的完美对称性，这是传统半导体所不具备的特征。
引用
@article{arxiv.1301.0673,
title = {SymFET: A Proposed Symmetric Graphene Tunneling Field Effect Transistor},
author = {Pei Zhao and Randall M. Feenstra and Gong Gu and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.0673},
year = {2013}
}