大规模高频石墨烯场效应晶体管的小信号电容与电流参数建模
介观与纳米尺度物理
2011-12-19 v1
摘要
本文提出了射频石墨烯场效应晶体管（GFET）小信号电流与电容特性的解析模型。该模型基于在漂移-扩散电流连续性方程求解框架下获得的石墨烯沟道化学势的显式分布（包括高源漏偏压下的双极性电导）。在考虑漏极电流饱和的两种模式（包括漂移速度饱和或静电夹断）的情况下，对小信号跨导和输出电导特性进行了建模。获得了高频 GFET 复电流增益和截止频率的解析闭合表达式。该模型能够描述寄生电阻、电容以及界面陷阱对非本征电流增益和截止频率的影响。
引用
@article{arxiv.1112.3856,
title = {Small-Signal Capacitance and Current Parameter Modeling in Large-Scale High-Frequency Graphene Field-Effect Transistors},
author = {Gennady I. Zebrev and Alexander A. Tselykovskiy and Daria K. Batmanova and Evgeny V. Melnik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.3856},
year = {2011}
}
备注
14 pages, 10 figures, 22 references