面向模拟和射频应用的石墨烯场效应晶体管显式漏极电流模型
介观与纳米尺度物理
2011-10-27 v4
摘要
我们提出了一个基于物理的紧凑模型，用于描述石墨烯场效应晶体管的电流-电压特性，该模型对模拟和射频应用特别有意义，因为这些应用中可能不需要对石墨烯进行能带工程。物理框架是场效应模型和漂移-扩散载流子输运。我们推导了漏极电流的显式闭式表达式，该表达式连续覆盖所有工作区域。该模型已通过实测原型器件进行基准测试，展示了准确性和预测能力。最后，我们展示了作为射频/模拟应用中常用品质因数的本征增益的投影示例。
引用
@article{arxiv.1103.1599,
title = {Explicit drain-current model of graphene field-effect transistors targeting analog and radio-frequency applications},
author = {David Jimenez and Oana Moldovan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.1599},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 4 figures