石墨烯场效应晶体管紧凑模型综述
介观与纳米尺度物理
2017-03-30 v1
摘要
石墨烯因其独特的物理、力学和电学性质而引起了极大的关注。特别是，基于石墨烯的场效应晶体管发展迅速，现已被视为传统硅器件的一种替代选择。作为现代集成电路产品设计周期中的关键步骤，紧凑模型是指为用于电路仿真的集成半导体器件建立模型。本综述旨在提供石墨烯场效应晶体管当前紧凑模型的理论描述。重点关注电荷片模型、漂移扩散模型、玻尔兹曼方程、态密度（DOS）以及基于表面势的紧凑模型。最后，简要讨论了该领域的展望。
引用
@article{arxiv.1703.09759,
title = {A review for compact model of graphene field-effect transistors},
author = {Nianduan Lu and Lingfei Wang and Ling Li and Ming Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.09759},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 20 figures