面向射频电路应用的石墨烯场效应晶体管解析模型近期进展
应用物理
2021-01-07 v1
摘要
MOS 器件是任何数字和模拟电路的基本构建模块，其中硅（Si）是最常用的材料。国际半导体技术路线图（ITRS）报告预测，到 2023 年 MOS 器件的栅长将缩小至 4.5 nm，这可能会产生严重的短沟道效应（SCEs）。因此，人们已认识到新的沟道材料，其在器件性能与 SCEs 之间保持适当平衡方面展现出潜力。其中，石墨烯凭借其优异的电学和机械性能，作为替代沟道材料表现出强劲存在。它具有超高载流子迁移率（77,000 cm²V⁻¹s⁻¹）和饱和速度，使其兼容高速电路应用。本综述论文详细报道了多种针对石墨烯基 FET 器件的解析建模方法，包括漂移-扩散、渐变沟道近似、虚拟源和弹道方法。器件建模在预测器件性能及揭示其背后物理机制方面起着重要作用。此外，器件的紧凑模型将用于电子设计自动化（EDA）工具的开发，这些工具用于电路仿真。
引用
@article{arxiv.2101.01955,
title = {Recent Development in Analytical Model for Graphene Field Effect Transistors for RF Circuit Applications},
author = {Abhishek Kumar Upadhyay and Ajay K. Kushwaha and Deepika Gupta and Santosh K. Vishvakarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.01955},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 2 Figures