石墨烯器件转移至不同衬底前后的直接比较
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1
摘要
首先在SiO2/Si上制备的整个石墨烯场效应晶体管(FET)器件从表面剥离并放置到另一晶圆上。测量转移前后器件的纵向和横向电阻率，以计算迁移率进行直接比较。转移至不同SiO2/Si晶圆后，迁移率总体相当，缺陷密度未显示显著增加，表明转移过程本身造成的退化极小。相同方法可应用于将石墨烯器件转移至任意衬底（例如SrTiO3或STO）。本文开发的转移方法不仅消除了在非SiO2/Si衬底上定位单层石墨烯以进行图案化的需要，而且为研究各种衬底对石墨烯电子性质的影响提供了一种便捷途径。
引用
@article{arxiv.1401.2218,
title = {Direct comparison of graphene devices before and after transfer to different substrates},
author = {Raymond Sachs and Zhisheng Lin and Patrick Odenthal and Roland Kawakami and Jing Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.2218},
year = {2015}
}