图案化基底上CVD石墨烯FET的转移印刷
介观与纳米尺度物理
2016-01-07 v1
摘要
我们描述了一种用于转移CVD石墨烯以制造场效应晶体管的简单且可扩展的方法。这是一种使用改进的RCA清洗步骤以改善表面质量的干法工艺。与转移后进行光刻步骤的传统制造路线相反，此处石墨烯被转移到预图案化基底上。所得的FET器件显示出近乎零的狄拉克电压，且石墨烯与金属接触之间的接触电阻在910±340欧姆-微米量级。该方法能够实现长达一毫米的导电石墨烯沟道的形成。无抗蚀剂转移工艺提供了洁净的石墨烯表面，有望用于高灵敏度石墨烯FET生物传感器。
引用
@article{arxiv.1601.01224,
title = {Transfer Printing of CVD Graphene FETs on Patterned Substrates},
author = {T. S. Abhilash and Roberto De Alba and Nikolay Zhelev and Harold G Craighead and Jeevak M Parpia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01224},
year = {2016}
}