用于数字应用的无转移生长双层石墨烯晶体管
介观与纳米尺度物理
2013-03-04 v1
摘要
我们发明了一种新颖的方法，在氧化硅晶圆上制造石墨烯晶体管，无需转移石墨烯层。通过催化化学气相沉积（CCVD），直接在氧化硅衬底上原位生长双层石墨烯晶体管（BiLGFETs），其中堆叠的石墨烯层数由所选的CCVD工艺参数（如温度和气体混合物）决定。BiLGFETs在室温下表现出超高开关电流比10^7，比先前报道的值高出几个数量级。这将首次实现石墨烯器件在混合硅CMOS环境中用于数字纳米电子应用的简单且低成本的集成。
引用
@article{arxiv.1205.6909,
title = {Transfer-free Grown Bilayer Graphene Transistors for Digital Applications},
author = {Pia Juliane Wessely and Frank Wessely and Emrah Birinci and Bernadette Riedinger and Udo Schwalke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.6909},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 4 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1112.4320, arXiv:1111.6397