利用缓冲介电层实现石墨烯晶体管中的高场效应载流子迁移率
材料科学
2009-11-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们在顶栅石墨烯晶体管中，于石墨烯和传统栅极介电层之间引入了一层有机聚合物缓冲层。与其他绝缘体不同，这种介电堆叠不会显著降低载流子迁移率，从而在顶栅操作中能够保持高场效应迁移率。这一点通过两点法和四点法分析，以及石墨烯晶体管的高频操作得到了验证。载流子迁移率的温度依赖性表明，声子是这些器件中的主要散射源。
引用
@article{arxiv.0911.3116,
title = {Utilization of a Buffered Dielectric to Achieve High Field-Effect Carrier Mobility in Graphene Transistors},
author = {Damon B. Farmer and Hsin-Ying Chiu and Yu-Ming Lin and Keith A. Jenkins and Fengnian Xia and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.3116},
year = {2009}
}