基于多种氧化方法的石墨烯原子层沉积缓冲层工程
材料科学
2016-11-01 v1
摘要
使用原子层沉积在石墨烯上集成高k氧化物需要一个电学可靠的缓冲层。在本研究中，由于稀土元素中最高的氧化能力，选择Y作为缓冲层，并对Y金属缓冲层施加了各种氧化方法（常压、高压O2和臭氧）。通过优化顶栅绝缘体的氧化条件，我们成功改善了顶栅Y2O3绝缘体的电容，并展示了双层石墨烯在外部电场下的大Ion/Ioff比。
引用
@article{arxiv.1610.09857,
title = {Buffer Layer Engineering on Graphene via Various Oxidation Methods for Atomic Layer Deposition},
author = {Nobuaki Takahashi and Kosuke Nagashio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.09857},
year = {2016}
}