用于石墨烯场效应晶体管栅叠层的h-BN上Y2O3原子层沉积
材料科学
2015-10-14 v1
摘要
由于h-BN的低介电常数，在微型化石墨烯场效应晶体管中，h-BN与高k电介质的组合是顶栅绝缘体所必需的。我们研究了利用原子层沉积在h-BN上沉积Y2O3。证实了无需任何缓冲层即可在h-BN上沉积Y2O3。沉积温度的升高降低了表面覆盖度。沉积机制可由Y前驱体在h-BN上由于极化作用而产生的脱附与吸附之间的竞争来解释。尽管难以实现完全表面覆盖，但在h-BN上使用氧化的金属籽晶层实现了完全表面覆盖。
引用
@article{arxiv.1510.01928,
title = {Atomic layer deposition of Y2O3 on h-BN for a gate stack in graphene FETs},
author = {N. Takahashi and K. Watanabe and T. Taniguchi and K. Nagashio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.01928},
year = {2015}
}