用于拓扑绝缘体场效应晶体管的 Bi2Te3 上原子层沉积 Al2O3
材料科学
2011-08-08 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在 Bi2Te3 薄片上制备的拓扑绝缘体场效应晶体管 (TI FET) 的双栅极调制，并集成了原子层沉积 (ALD) 的高 k 介电材料 Al2O3。原子力显微镜研究表明，ALD Al2O3 均匀生长在这种层状结构的沟道材料上。电学表征揭示，ALD 前驱体的正确选择以及相关的表面化学对基于 Bi2Te3 的 TI FET 的器件性能起着关键作用。我们在这些器件上实现了顶栅和底栅控制，并通过同时使用双栅控制实现了 76.1% 的最高调制率。
引用
@article{arxiv.1108.1333,
title = {Atomic-Layer-Deposited Al2O3 on Bi2Te3 for Topological Insulator Field-Effect Transistors},
author = {Han Liu and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1333},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures