用于MIS结构的ALD生长介电氧化物的特性与表征
材料科学
2011-07-28 v1
摘要
我们报告了对通过原子层沉积（ALD）生长的栅下介电氧化物绝缘体Al2O3和HfO2进行的广泛结构和电学表征。我们详细阐述了这些氧化物的ALD生长窗口，发现两种氧化物的40-100 nm厚层均表现出良好的表面平整度和所需的非晶结构。这些层构成了进一步金属栅极蒸发以完成金属-绝缘体-半导体结构的基础。我们最好的器件在77 K下能承受高达约3 MV/cm的激励，漏电流保持在低于1 nA的先进水平。在这些条件下，位移电荷对应于3 × 10^13 cm^-2的片载流子密度变化，这有望在稀磁半导体中实现微磁特性的有效调制。
引用
@article{arxiv.1107.5401,
title = {Properties and characterization of ALD grown dielectric oxides for MIS structures},
author = {S. Gieraltowska and D. Sztenkiel and E. Guziewicz and M. Godlewski and G. Luka and B. S. Witkowski and L. Wachnicki and E. Lusakowska and T. Dietl and M. Sawicki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.5401},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 5 figures, 14 references