石墨烯上Al2O3栅绝缘体的多功能溅射技术
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1 材料科学
摘要
我们报道了一种基于溅射的石墨烯Al2O3栅绝缘体的新型制备方法。展示了双栅单层和双层剥离石墨烯器件的电性能。溅射的Al2O3层在约8的高相对介电常数、低滞后性能和高击穿电压方面，与通过原子层沉积（ALD）获得的氧化物具有相当的质量。我们观察到石墨烯中约1000 cm2/Vs和双层中约350 cm2/Vs的适中载流子迁移率，这是由于原子尺度缺陷上的共振散射增加。这很可能源于在溅射Al2O3栅氧化物之前蒸发的薄Al前驱层。
引用
@article{arxiv.1110.1535,
title = {Versatile sputtering technology for Al2O3 gate insulators on graphene},
author = {M. Friedemann and M. Woszczyna and A. Müller and S. Wundrack and T. Dziomba and Th. Weimann and Th. Seyller and F. Ahlers},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.1535},
year = {2015}
}