SrTiO3外延薄膜上石墨烯器件的电压缩放
材料科学
2016-02-17 v1
摘要
为利用高k介电材料促进栅电压缩放，研究了SrTiO3（STO）薄膜上单层石墨烯的电输运特性。在铌掺杂STO单晶衬底上外延生长的薄STO层具有原子级平坦表面，为高k薄膜与石墨烯之间提供了良好的粘附性，从而在所有低至2 K的温度下实现了无滞回的电导随栅电压变化关系。对应于量子霍尔态的两端子电导量化在14 T磁场下可维持至200 K。此外，石墨烯中电荷中性点的大幅偏移似乎与STO薄膜的温变介电常数相关，其有效介电特性可由石墨烯中量子现象的普适性推导得出。我们的实验数据证明，由于底层高k STO薄膜，工作电压的降低得以成功实现，且石墨烯器件性能未出现任何明显退化。
引用
@article{arxiv.1602.04917,
title = {Voltage Scaling of Graphene Device on SrTiO3 Epitaxial Thin Film},
author = {Jeongmin Park and Haeyong Kang and Kyeong Tae Kang and Yoojoo Yun and Young Hee Lee and Woo Seok Choi and Dongseok Suh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.04917},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 9 figures (5 figures + 4 figures on supp.) in Nano Letters (2016)