氧化石墨烯中的绝缘体-半金属转变
材料科学
2009-05-19 v1
摘要
描述了逐步还原的氧化石墨烯(GO)的输运性质。电子性质的演化表明，随着还原过程，合成态GO经历了绝缘体-半导体-半金属转变。表观输运能隙范围为10~50 meV，并在充分还原后趋近于零。在不同还原程度下的测量表明，还原GO中的输运通过变程跳跃发生，进一步还原导致可用跳跃位点数量增加。
引用
@article{arxiv.0905.2799,
title = {Insulator to semi-metal transition in graphene oxide},
author = {Goki Eda and Cecilia Mattevi and Hisato Yamaguchi and HoKwon Kim and Manish Chhowalla},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.2799},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 4 figures