外延石墨烯/氧化石墨烯结：迈向外延石墨烯电子学的关键一步
介观与纳米尺度物理
2008-07-07 v2 材料科学
摘要
通过沉积氧化石墨烯（GO）薄片桥接两个外延石墨烯电极之间的间隙，制备了全石墨烯器件。电学测量表明，由于 GO 中存在带隙，在石墨烯/氧化石墨烯结处存在肖特基势垒（SB）。发现势垒高度约为 0.7 eV，并在 180 C 退火后降低，这意味着可以通过改变氧化程度来调节带隙。测得 GO 迁移率的下限为 850 cm/Vs，可与硅相媲美。此外，还实现了对图案化外延石墨烯的 \textit{原位} 局部氧化。
引用
@article{arxiv.0712.0820,
title = {The epitaxial-graphene/graphene-oxide junction, an essential step towards epitaxial graphene electronics},
author = {Xiaosong Wu and Mike Sprinkle and Xuebin Li and Fan Ming and Claire Berger and Walt A. de Heer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.0820},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 4 figures