通过外延石墨烯上化学吸附的原子氧进行原子尺度裁剪以用于石墨烯基电子器件
材料科学
2023-07-13 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
石墨烯以其独特的能带结构、机械稳定性和高电荷迁移率，在下一代电子学中极具前景。然而，其零带隙对通过电学栅控电流流动带来挑战，从而限制了其实际应用。近期研究表明，原子氧可在真空中氧化外延石墨烯而不造成不必要损伤。在本研究中，我们利用扫描隧道显微镜（STM）考察了化学吸附原子氧对外延石墨烯电子性质的影响。我们的发现揭示，氧原子有效修饰了石墨烯的电子态，从而在其狄拉克点处产生带隙。此外，我们证明可通过STM针尖施加适当的偏压扫描，以原子精度选择性地诱导氧原子的脱附或跳跃。这些结果表明了石墨烯氧化物原子尺度裁剪的潜力，有助于开发基于石墨烯的原子尺度电子器件。
引用
@article{arxiv.2306.14501,
title = {Atomic-Scale Tailoring of Chemisorbed Atomic Oxygen on Epitaxial Graphene for Graphene-Based Electronic Devices},
author = {Tae Soo Kim and Taemin Ahn and Tae-Hwan Kim and Hee Cheul Choi and Han Woong Yeom},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.14501},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 3 figures. The following article has been accepted by Applied Physics Letters. After it is published, it will be found at the following DOI