外延石墨烯中衬底诱导的能隙打开
材料科学
2007-11-19 v2 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
石墨烯作为下一代电子器件的宿主材料显示出巨大的应用潜力。然而，尽管其具有迷人的性质，石墨烯作为电子材料面临的最大障碍之一是其电子能谱中缺乏能隙。例如，这阻碍了石墨烯在制造晶体管中的应用。虽然已有几种在石墨烯电子能谱中打开能隙的提议，但它们都需要对石墨烯层进行复杂的工程化处理。在此，我们表明当石墨烯在 SiC 衬底上外延生长时，会产生约 0.26 eV 的能隙。该能隙随样品厚度增加而减小，并最终在层数超过四层时趋近于零。我们提出，该能隙的起源是由于石墨烯 - 衬底相互作用导致的子晶格对称性破缺。我们相信我们的结果突显了石墨烯能隙工程的一个有前景的方向。
引用
@article{arxiv.0709.1706,
title = {Substrate-induced band gap opening in epitaxial graphene},
author = {S. Y. Zhou and G. -H. Gweon and A. V. Fedorov and P. N. First and W. A. de Heer and D. -H. Lee and F. Guinea and A. H. Castro Neto and A. Lanzara},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1706},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 4 figures; updated references