基于高度有序衬底相互作用的半导体性石墨烯
材料科学
2015-09-30 v1
摘要
尽管提出了许多生产半导体性石墨烯的方法，但从未实现显著的带隙。原因在于，无论理论带隙形成机制如何，亚纳米尺度的无序阻碍了在石墨烯中打开带隙所需的手性对称性破缺。本工作中，我们首次展示可以通过外延生长制备二维半导体性石墨烯薄膜。利用改进的生长方法，我们通过直接能带测量表明，在 SiC(0001) 表面生长的第一层石墨烯中可产生大于 0.5 eV 的带隙。本工作表明，有序性——其他石墨烯系统仍缺乏的一种性质——是制造电子学上可行的半导体性石墨烯的关键。
引用
@article{arxiv.1505.00435,
title = {Semiconducting graphene from highly ordered substrate interactions},
author = {M. S. Nevius and M. Conrad and F. Wang and A. Celis and M. N. Nair and A. Taleb-Ibrahimi and A. Tejeda and E. H. Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.00435},
year = {2015}
}