基于SiC上外延石墨烯的场效应晶体管模型与性能评估
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
鉴于近期实验中观测到0.26 eV的显著半导体带隙，SiC衬底上的外延石墨烯似乎是场效应晶体管有前景的沟道材料。事实上，它是二维的——因此不需要高成本的光刻——并且比双层石墨烯等其他替代方案具有更宽的带隙。在此，我们提出了一个模型，并评估了基于SiC上外延石墨烯的纳米级场效应晶体管可实现的性能，对设计参数空间进行了探索。我们表明，电流可被调制4个数量级；对于数字应用，在0.25 V的电源电压下，可获得50的Ion/Ioff比和145 mV/dec的亚阈值摆幅。这代表了向石墨烯电子学固态集成迈出的重要一步，但尚不足以满足数字应用的需求。
引用
@article{arxiv.0909.4678,
title = {Model and performance evaluation of field-effect transistors based on epitaxial graphene on SiC},
author = {Martina Cheli and Paolo Michetti and Giuseppe Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.4678},
year = {2015}
}