通过SiC分解形成的顶栅石墨烯场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
展示了在热分解半绝缘4H-SiC衬底上制造的顶栅、少层石墨烯场效应晶体管(FET)。物理气相沉积的SiO₂用作栅介质。高分辨率扫描隧道显微镜观察到的具有正确晶格矢量的二维六方碳原子排列证实了SiC衬底上多层石墨烯的形成。n型和p型转变的观察进一步验证了石墨烯层中狄拉克费米子独特的输运性质。这些制造的石墨烯FET中测得的电子和空穴迁移率分别高达5400 cm²/Vs和4400 cm²/Vs，远高于传统SiC或硅中的相应值。
引用
@article{arxiv.0802.4103,
title = {Top-gated graphene field-effect-transistors formed by decomposition of SiC},
author = {Y. Q. Wu and P. D. Ye and M. A. Capano and Y. Xuan and Y. Sui and M. Qi and J. A. Cooper},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.4103},
year = {2009}
}