在外延铁电栅极氧化物上制备的高迁移率少层石墨烯场效应晶体管

X. Hong; A. Posadas; K. Zou; C. H. Ahn; J. Zhu

doi:10.1103/PhysRevLett.102.136808

在外延铁电栅极氧化物上制备的高迁移率少层石墨烯场效应晶体管

介观与纳米尺度物理 2009-09-03 v1

作者: X. Hong , A. Posadas , K. Zou , C. H. Ahn , J. Zhu

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摘要

当将SiO₂衬底替换为单晶外延Pb(Zr₀.₂Ti₀.₈)O₃ (PZT)时，少层石墨烯(FLG)场效应晶体管的载流子迁移率μ提高了十倍。在FLG的电子主导输运区域，μ在300K下、n = 2.4×10¹²/cm²时达到7×10⁴ cm²/Vs，为纵向声学(LA)声子所设定的本征极限的70%；在低温下，μ增加至1.4×10⁵ cm²/Vs。与温度相关的电阻率ρ(T)清晰地显示了LA声子散射的特征，由此得到形变势D = 7.8±0.5 eV。

关键词

少层石墨烯场效应晶体管载流子迁移率铁电栅极氧化物 Pb(Zr,Ti)O3 声子散射形变势

引用

@article{arxiv.0810.4466,
  title  = {High-Mobility Few-Layer Graphene Field Effect Transistors Fabricated on Epitaxial Ferroelectric Gate Oxides},
  author = {X. Hong and A. Posadas and K. Zou and C. H. Ahn and J. Zhu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0810.4466},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 4 figures

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