通过高掺杂石墨烯接触实现高迁移率 WSe2 p 型和 n 型场效应晶体管的低电阻接触
材料科学
2015-06-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了同时制备 n 型和 p 型 WSe2 场效应晶体管，其沟道经过六方氮化硼钝化，并采用离子液体 (IL) 门控的石墨烯作为接触电极。我们的输运测量揭示了本征沟道特性，包括在接近量子电导 的特征电导处发生的金属 - 绝缘体转变、在 170 K 下大于 的高开/关比，以及在 160 K 下电子和空穴迁移率均约为 200 cmVs。将温度降低至 77 K 时，电子迁移率增加至约 330 cmVs，空穴迁移率增加至约 270 cmVs。我们将能够在电子和空穴沟道中观测到本征的、声子限制的导电行为，归因于利用 IL 门控大幅降低了沟道与石墨烯接触电极之间的肖特基势垒。我们通过研究由单个石墨烯/WSe2 肖特基结组成的肖特基二极管阐明了这一过程。我们的结果表明，可以利用化学或静电高度掺杂的石墨烯，为各种准二维半导体提供多功能、柔性且透明的低电阻欧姆接触。
引用
@article{arxiv.1405.5437,
title = {High Mobility WSe2 p- and n-Type Field Effect Transistors Contacted by Highly Doped Graphene for Low-Resistance Contacts},
author = {Hsun-Jen Chuang and Xuebin Tan and Nirmal Jeevi Ghimire and Meeghage Madusanka Perera and Bhim Chamlagain and Mark Ming-Cheng Cheng and Jiaqiang Yan and David Mandrus and David Tománek and Zhixian Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.5437},
year = {2015}
}
备注
28 pages, 6 figures, accepted for publication in Nano Lett. 2014