利用垂直磁各向异性金属接触研究原子级薄层WSe2的电输运性质
材料科学
2023-10-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二硒化钨（WSe2）展现出优异的性质，并在二维半导体中成为一种极具前景的材料。单层WSe2具有宽禁带、强自旋轨道耦合以及天然缺乏反演对称性，这使其成为自旋电子学、光电子学和谷电子学应用的高效材料。在这项工作中，我们报道了基于单层WSe2的场效应晶体管的电输运性质，该晶体管采用最亟需的具有垂直磁各向异性的多层Co/Pt铁磁电极。我们通过I-V曲线测量并估算肖特基势垒高度（SBHs）来研究接触行为。由实验数据估算的SBHs在不使用任何隧穿势垒的情况下被发现相对较小。该工作拓展了对基于WSe2的器件的理解，并深入揭示了Co/Pt金属接触的电学行为，可为自旋电子学/谷电子学应用开辟巨大可能。
引用
@article{arxiv.2310.08955,
title = {Electrical transport properties of atomically thin WSe2 using perpendicular magnetic anisotropy metal contacts},
author = {S. Gupta and R. Ohshima and Y. Ando and T. Endo and Y. Miyata and M. Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.08955},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 4 figures