Be$_2$C 单层中显著的电子输运性质
材料科学
2022-01-27 v3
摘要
我们基于密度泛函理论和半经典玻尔兹曼输运理论，给出了 BeC 单层的热电性质。电子结构计算预测该材料为半导体，使用高斯衰减 Perdew-Burke-Ernzerhof (Gau-PBE) 杂化泛函计算得到的直接带隙为 2.0 eV。利用 Gau-PBE 能带结构，在恒定弛豫时间近似下求解玻尔兹曼输运方程以计算输运性质。本工作中，我们通过研究体系中的电声子相互作用显式确定了弛豫时间，以估算绝对输运系数。我们的结果表明，该单层具有高的功率因子（ 3.44 mW/mK @300K），与商用热电材料掺杂 BiTe 和 PbTe 相似，表明 BeC 单层是一种有前景的热电材料。
引用
@article{arxiv.2003.07400,
title = {Impressive Electronic Transport in Be$_2$C Monolayer},
author = {Gautam Sharma and K. C. Bhamu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.07400},
year = {2022}
}
备注
19 pages, 7 figures