二维超宽带隙材料 h-BeO 的电子输运
材料科学
2020-10-28 v1
摘要
二维超宽带隙材料，其带隙显著宽于3.4 eV，在纳米高功率半导体、深紫外光电子学等领域具有引人注目的潜在优势。最近，二维层状 h-BeO 已在实验中合成。在本工作中，第一性原理计算预测单层 h-BeO 使用 HSE 泛函具有7.05 eV的间接带隙。超宽带隙源于极性 h-BeO 中两个原子的电负性差异。并且，利用玻尔兹曼输运理论系统地研究了电子输运性质。h-BeO 的极性 LO 声子可产生宏观极化场，并通过 Fröhlich 相互作用与电子强耦合。受限于电子-声子散射，单层 h-BeO 在室温下具有473 cm^2/Vs 的高迁移率。进一步研究表明，双轴拉伸应变可降低电子有效质量并增强电子-声子耦合强度。适当的应变可将室温迁移率提升至约1000 cm^2/Vs。
引用
@article{arxiv.2007.01090,
title = {Electronic Transport of Two-Dimensional Ultrawide Bandgap Material h-BeO},
author = {Yanfeng Ge and Wenhui Wan and Yulu Ren and Fei Li and Yong Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.01090},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures