单层$\alpha$与$\beta-$GeSe的电子、输运和光学性质：第一性原理研究
材料科学
2017-12-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
黑磷烯的非凡性质和新颖应用引起了人们对单层IV族单硫族化物的研究兴趣。本文利用第一性原理计算，系统研究了单层和GeSe的电子、输运和光学性质，其中后者最近已在实验中实现。我们发现，单层GeSe是直接带隙为1.6 eV的半导体，而GeSe表现为带隙2.47 eV的间接半导体。对于单层GeSe，电子/空穴输运是各向异性的，沿锯齿形方向具有极高的电子迁移率7.84 ，可与黑磷烯相比。此外，对于GeSe，观察到沿锯齿形方向施加拉伸应变时近乎忽略的稳健带隙。单层和GeSe均在可见光谱中表现出各向异性的光吸收。
引用
@article{arxiv.1704.03336,
title = {Electronic, transport and optical properties of monolayer $\alpha$ and $\beta-$GeSe: A first-principles study},
author = {Yuanfeng Xu and Hao Zhang and Hezhu Shao and Gang Ni and Hongliang Lu and Rongjun Zhang and Bo Peng and Yongyuan Zhu and Heyuan Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.03336},
year = {2017}
}
备注
17 pages, 5 figures