基于InSe的Janus单层的声子与电子输运
材料科学
2019-08-05 v2
摘要
我们通过第一性原理计算系统地研究了单层InSe及其Janus衍生物（包括单层In2SSe和In2SeTe）的声子和电子输运性质。镜像对称性的破缺在单层In2SSe和In2SeTe的拉曼光谱中产生可区分的A1峰。单层InSe、In2SSe和In2SeTe的室温热导率（\k{appa}）分别为44.6、46.9和29.9 W/(m K)。原子质量、声子群速度与声子寿命之间存在竞争效应。出于热电应用目的，\k{appa}可进一步通过样品尺寸有效调控。同时，由于Se侧拉伸应变引起的更小电子有效质量，单层In2SeTe表现出直接带隙且电子迁移率高于单层InSe。这些结果表明，二维Janus III族硫属化物可为设计新型电子、光电子和热电器件提供平台。
引用
@article{arxiv.1904.00155,
title = {Phonon and electron transport in Janus monolayers based on InSe},
author = {Wenhui Wan and Shan Zhao and Yanfeng Ge and Yong Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.00155},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 5 figures