原子级薄的第V族元素薄膜：锑烯同素异形体的理论研究
计算物理
2015-05-12 v3 材料科学
摘要
包括磷烯在内的第V族元素单层正作为具有半导体电子特性的有前景的二维材料而出现。在此，我们给出关于二维锑(Sb)即锑烯的稳定性、力学和电子特性的第一性原理计算结果。我们的计算表明，自由站立的锑烯α和β同素异形体是稳定且半导体的。α-Sb具有带两个原子亚层的褶皱结构，而β-Sb具有屈曲的六方晶格。计算的拉曼光谱和STM图像具有明显特征，从而便于两种同素异形体的表征。β-Sb具有近乎各向同性的力学性质，而α-Sb表现出强烈的各向异性特征。对单层施加中等拉伸应变时，预期会发生间接-直接带隙转变，这为它们在光电子学中的应用开辟了可能性。
引用
@article{arxiv.1503.02543,
title = {Atomically thin group-V elemental films: theoretical investigations of antimonene allotropes},
author = {Gaoxue Wang and Ravindra Pandey and Shashi P. Karna},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02543},
year = {2015}
}