二维磷氮化物单层的预测
介观与纳米尺度物理
2016-03-11 v2
摘要
如今，二维半导体材料已扩展到氮族：磷烯(phosphorene)、砷烯(arsenene)、锑烯(antimonene)乃至氮烯(nitrogene)。受此启发，基于第一性原理密度泛函计算，我们提出了一种新型二维磷氮化物(PN)结构，由于其极高的内聚能，该结构在远高于室温下稳定。与磷烯不同，PN结构耐高温氧化。该结构被预测为具有2.64 eV宽间接带隙的半导体。更有趣的是，磷氮化物单层在相对较小的拉伸应变下经历间接到直接带隙的转变。这种电子结构的显著转变，结合高温下的结构稳定性和抗氧化性，可为高速超薄晶体管、功率电子模块、超高效率LED和半导体激光器的令人兴奋的创新铺平道路。
引用
@article{arxiv.1603.01957,
title = {Prediction of a Two-dimensional Phosphorus Nitride Monolayer},
author = {Hang Xiao and Feng Hao and Xiangbiao Liao and Xiaoyang Shi and Yayun Zhang and Xi Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.01957},
year = {2016}
}