二维 SnS：一种具有强面内电子各向异性的磷烯类似物
介观与纳米尺度物理
2016-12-30 v1
摘要
我们研究了通过物理气相传输生长的二维 SnS（磷烯的类似物）的各向异性电子性质。利用透射电子显微镜和偏振拉曼光谱，我们确定了所生长二维晶体的锯齿形和扶手椅形方向。我们制备了具有十字霍尔条结构的二维 SnS 场效应晶体管。它们表现出具有强面内各向异性的重空穴掺杂（~10 cm）导电性。在室温下，沿锯齿形方向的迁移率超过 20 cmVs，最高可达扶手椅形方向的 1.7 倍。这种强各向异性随后通过沿这两个方向的有效质量比得到解释，并与先前的理论预测吻合良好。利用温度依赖的载流子密度，我们发现受主能级位于价带顶上方约 45 meV 处。该值与计算得到的 42 meV 的 Sn 空位缺陷能级相匹配，表明 Sn 缺陷是 p 型导电性的主要原因。
引用
@article{arxiv.1612.08896,
title = {2D SnS: a phosphorene analogue with strong in-plane electronic anisotropy},
author = {Zhen Tian and Chenglei Guo and Mingxing Zhao and Ranran Li and Jiamin Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.08896},
year = {2016}
}
备注
27 pages, 6 figures