层状 As$_{\sf\textbf{1-x}}$P$_{\sf\textbf{x}}$ 化合物中的结构转变：一项计算研究

作为进一步改善 V 族层状半导体电子性质的一种途径，我们提出形成黑磷和灰砷的层内二维异质结构。我们使用 \textit{ab initio} 密度泛函理论来优化几何结构、确定电子结构，并识别作为组分函数的最稳定同素异形体。由于纯黑磷和纯灰砷单层在其平衡结构上存在差异，我们预测随着组分变化将发生结构转变以及前沿态的改变，包括从直接带隙半导体到间接带隙半导体的转变。