黑砷：一种具有极端面内各向异性的层状半导体
材料科学
2018-05-02 v1
摘要
近年来，二维（2D）层状材料作为承载新颖电子、光学或激子物理并发展前所未有的纳米电子与能源应用的平台而出现。根据定义，这些材料在基面内与跨平面之间具有强各向异性。然而，其基面内的结构与性质各向异性却少有研究。在此，我们报道一种罕见的砷化学形态，称为黑砷（b-As），作为一种极端各向异性的层状半导体。我们对b-As单晶的结构、电子、热学与电学性质进行了系统表征，特别关注其沿两个面内主轴——扶手椅（AC）与锯齿（ZZ）方向的各向异性。我们的分析表明，b-As在AC与ZZ方向之间展现出高于或可比于任何其他已知2D晶体的电子、热与电传输各向异性。此类极端的面内各向异性有望为科学研究与器件应用提供新思路。
引用
@article{arxiv.1805.00418,
title = {Black Arsenic: A Layered Semiconductor with Extreme in-plane Anisotropy},
author = {Yabin Chen and Chaoyu Chen and Robert Kealhofer and Huili Liu and Zhiquan Yuan and Lili Jiang and Joonki Suh and Joonsuk Park and Changhyun Ko and Hwan Sung Choe and José Avila and Mianzeng Zhong and Zhongming Wei and Jingbo Li and Shushen Li and Hongjun Gao and Yunqi Liu and James Analytis and Qinglin Xia and Maria C. Asensio and Junqiao Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.00418},
year = {2018}
}