少层灰砷的异常电子结构：一项计算研究
介观与纳米尺度物理
2014-10-24 v1 材料科学
摘要
我们采用从头算密度泛函理论研究了少层灰砷的平衡几何结构和电子结构。与半金属性的体结构相比，少层灰砷显示出显著的带隙，该带隙敏感地依赖于层数、层内应变、层堆叠方式及层间距。通过改变层数或层内应变，可以引发金属-半导体转变。我们将这种转变解释为价带顶附近电子态空间分布的突变。
引用
@article{arxiv.1410.6371,
title = {Unusual Electronic Structure of Few-Layer Grey Arsenic: A Computational Study},
author = {Zhen Zhu and Jie Guan and David Tomanek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.6371},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures