硅烯结构的电子结构与准粒子带隙
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1
摘要
我们报道了各种硅烯结构电子结构的第一性原理结果。对于平面和简单屈曲的硅烯，我们确认了其零带隙性质，并表明通过包含多电子效应，其费米速度发生了显著重整化。然而，另外两种最近提出的硅烯结构表现出有限带隙，表明它们是带隙半导体，而非此前预期的狄拉克费米子半金属。此外，我们计算的准粒子带隙定量地解释了最近的角分辨光电子能谱测量结果。特别是，后两种结构的带隙可以通过施加应变在宽范围内进行调控，为双极性器件应用带来了希望。
引用
@article{arxiv.1212.2305,
title = {Electronic Structure and Quasiparticle Band Gap of Silicene Structures},
author = {Shouting Huang and Wei Kang and Li Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.2305},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures