硅烯中电可调带隙
介观与纳米尺度物理
2012-02-23 v2 材料科学
摘要
我们报道了硅烯的电子结构及其弱翘曲蜂窝晶格在垂直于硅原子单层的外电场中稳定性的计算结果。我们发现，电场在狄拉克型电子谱中产生可调带隙，该带隙因系统的高极化率而被抑制约八倍。在低电场下，这种对蜂窝晶格电子特有的可调带隙与Kane-Mele自旋轨道耦合之间的相互作用诱导了从拓扑绝缘体到能带绝缘体的转变，而在更高电场下，硅烯变为半金属。
引用
@article{arxiv.1112.4792,
title = {Electrically Tunable Band Gap in Silicene},
author = {N. D. Drummond and V. Zolyomi and V. I. Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.4792},
year = {2012}
}