通过氧化调控硅烯的带隙
材料科学
2014-12-19 v1
摘要
生长在 Ag(111) 表面上的硅烯单层显示出可由氧吸附原子调控的带隙，使其从半金属型转变为半导体型。利用低温扫描隧道显微镜发现，硅烯表面氧吸附原子的吸附构型和数量对于带隙工程至关重要，这主要由 R13xR13、4x4 和 2R3x2R3 硅烯层中不同的褶皱结构主导。Si-O-Si 键是在氧化条件下在 R13xR13、4x4 和 2R3x2R3 结构上形成的能量最有利的物种，这一点已通过原位拉曼光谱以及第一性原理计算得到验证。当完全被氧吸附原子覆盖时，硅烯单层仍保持其结构。我们的工作证明了利用氧吸附原子调控硅烯带隙的可行性，进而扩展了可用于器件的二维电子材料基础，这些性质是氧化石墨烯难以实现的。
引用
@article{arxiv.1412.1886,
title = {Tuning the Band Gap in Silicene by Oxidation},
author = {Yi Du and Jincheng Zhuang and Hongsheng Liu and Xun Xu and Stefan Eilers and Kehui Wu and Peng Cheng and Jijun Zhao and Xiaodong Pi and Khay Wai See and Germanas Peleckis and Xiaolin Wang and Shi Xue Dou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1886},
year = {2014}
}
备注
Accepted by ACS Nano