掺杂II-VI氧化物半导体及其多带隙特性
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们报道了一种新的多带隙半导体的实现。使用氧离子植入和脉冲激光熔解的复合方法合成了Zn1-yMnyOxTe1-x高掺杂合金。在掺杂中少量等价氧的加入导致在Zn1-yMnyTe宿主带隙内形成一条由延伸态组成的窄氧衍生带。当在Zn0.88Mn0.12Te晶体中仅将1.3%的Te原子取代为氧(该晶体的带隙为2.32 eV)后，所得的带结构由两个直接带隙组成，其间带跃迁分别位于约1.77 eV和2.7 eV。这一对带结构的显著修改可通过包含氧衍生带与导带相互作用的带反交叉模型得到良好描述。具有落在太阳能光谱内的多个带隙，Zn1-yMnyOxTe1-x是满足单结光伏器件条件的理想材料，具有超过50%的功率转换效率潜力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309477,
title = {Diluted II-VI Oxide Semiconductors with Multiple Band Gaps},
author = {K. M. Yu and W. Walukiewicz and J. Wu and W. Shan and J. W. Beeman and M. A. Scarpulla and O. D. Dubon and P. Becla},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309477},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 4 figures