使用杂化泛函研究稀锗碳化物中的能带反交叉
计算物理
2016-01-27 v2 材料科学
摘要
稀锗碳化物 (Ge1-xCx) 为紧凑型硅光子学提供了直接带隙，但已有报道的结果差异很大。本工作使用带有自旋 - 轨道耦合的 HSE06 杂化泛函进行第一性原理模拟，研究了无缺陷情况下 Ge1-xCx 的能带结构行为。与 Vegard 定律相反，研究发现 k=0 处的导带底随 C 含量增加而持续降低，而 L 和 X 谷的变化则缓慢得多。观察到所有 x>0.017 的合金带隙消失。除了在布里渊区中心附近外，导带偏离了恒定势能带反交叉模型。
引用
@article{arxiv.1410.8383,
title = {Band Anticrossing in Dilute Germanium Carbides Using Hybrid Functionals},
author = {Chad A. Stephenson and William A. O'Brien and Meng Qi and Michael Penninger and William Schneider and Mark A. Wistey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.8383},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 6 figures, 1 table