III-V族直接-间接带隙交叉的精确从头算预测
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
我们报告了一系列III-V族合金的电子能带结构的组分依赖性。使用PBE泛函的密度泛函理论不足以模拟布里渊区不同对称点处的电子带隙能量。具有屏蔽交换的HSE杂化泛函能够精确再现实验带隙，更重要的是，能精确再现本文研究的III-V族合金（AlGaAs、InAlAs、AlInP、InGaP和GaAsP）的直接-间接带隙交叉的合金浓度。
引用
@article{arxiv.1005.3322,
title = {Accurate Ab-initio Predictions of III-V Direct-Indirect Band Gap Crossovers},
author = {Jeremy W. Nicklas and John W. Wilkins},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3322},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 2 figures