利用密度泛函理论高效估算过渡金属氧化物和硫族化物的带隙
材料科学
2013-03-22 v3 强关联电子
摘要
本研究从带隙、能带结构和投影态密度的角度，探讨了两种现代密度泛函 HSE06 和 TB-mBJ 在预测金属氧化物、硫族化物和氮化物电子结构方面的性能。与 GGA、杂化泛函和 GGA+U 相反，这两种新泛函能够以 25% 的显著精度预测带隙，从而允许以适度的计算成本筛选各类（混合）金属氧化物。计算得到的电子结构在很大程度上不受基函数选择和软件实现的影响。
引用
@article{arxiv.1302.0733,
title = {Efficient Estimation of Band Gaps in Transition-Metal Oxides and Chalcogenides using Density Functional Theory},
author = {Wenqing Li and Christian F. J. Walther and Agnieszka Kuc and Thomas Heine},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0733},
year = {2013}
}
备注
Rejected from PRB