将 DFT+U 重构为伪混合 Hubbard 密度泛函
强关联电子
2014-10-22 v3 材料科学
摘要
以低计算成本准确预测材料的电子性质，是开发用于加速材料发现的有效高通量量子力学 (HTQM) 框架的必要条件。HTQM 基础设施依赖于密度泛函理论 (DFT) 的预测能力，DFT 是研究材料性质的第一性原理首选方法。然而，DFT 存在的近似导致其对半导体和绝缘体电子能带结构的描述不够准确。在本文中，我们介绍了 ACBN0，这是一种伪混合 Hubbard 密度泛函，能够更准确地预测过渡金属氧化物等绝缘体（如 TiO2、MnO、NiO 和 ZnO）的能带结构，且计算成本仅略有增加。
引用
@article{arxiv.1406.3259,
title = {Reformulation of DFT+U as a pseudo-hybrid Hubbard density functional},
author = {Luis A. Agapito and Stefano Curtarolo and Marco Buongiorno Nardelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.3259},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 6 figures, 4 tables