萤石结构 Cu$_{2}$Se 电子结构的密度泛函理论研究
材料科学
2013-03-04 v2
摘要
我们利用密度泛函理论计算，在 LDA、PBE 和 AM05 近似以及非局域杂化 PBE0 和 HSE 近似下，研究了萤石结构 CuSe 的电子结构。结果表明，当使用局域或半局域密度泛函近似时，CuSe 是零带隙半导体，而使用 PBE0 泛函时则存在带隙。对于 HSE 近似，我们发现带隙的存在取决于 HSE 近似中非局域交换的程分离参数。对于占据态，我们发现 LDA、PBE、AM05、PBE0 和 HSE 在整体结构上是一致的，然而与 LDA、PBE 和 AM05 相比，杂化泛函向更低能量值偏移。使用杂化泛函获得的价带与实验价带谱吻合良好。我们还发现，关于晶格常数和体模量等体性质，PBE、PBE0 和 HSE 近似给出的结果相似。此外，我们利用 LDA+U 方法研究了 Cu d 态的局域化及其对材料带隙的影响。我们发现增加 会打开带隙，然而打开带隙所需的 值高得不切实际。
引用
@article{arxiv.1211.0410,
title = {Density functional theory study of the electronic structure of fluorite Cu$_{2}$Se},
author = {Mikael Råsander and Lars Bergqvist and Anna Delin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.0410},
year = {2013}
}