相变存储材料$\mathrm{Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}}$电子和光学性质的杂化密度泛函研究
材料科学
2015-06-05 v1 计算物理
摘要
在本文中，我们使用杂化密度泛函（HSE06）研究著名相变存储材料的晶体和电子结构以及光学性质。我们计算了该材料三种稳定结构的结构参数、带隙和介电函数。我们还使用Bader电荷分析理论分析了电子电荷分布。我们发现杂化密度泛函略微高估了'C'参数的值。然而，总体而言，我们使用杂化密度泛函（HSE06）计算的结果比使用PBE泛函计算的结果更接近可用的实验值。具体来说，使用HSE06计算的该材料的电子带隙值与文献中可用的实验数据吻合良好。此外，我们进行了电荷分析，发现简单的离子模型无法解释组成原子之间的电荷分布，显示了该化合物的复杂性质。
引用
@article{arxiv.1206.0138,
title = {Hybrid density functional study of electronic and optical properties of phase change memory material: $\mathrm{Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}}$},
author = {T. Kaewmaraya and M. Ramzan and 1 H. Löfås and Rajeev Ahuja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.0138},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 tables, 3 figures