层状 In2Se3 中光学带隙与基本带隙的巨大差异
材料科学
2018-10-31 v1
摘要
InSe 是一种半导体材料，可稳定于不同的晶体结构中（已报道至少一种三维结构和若干二维层状结构），并具有多样的电学与光学性质。这一特性多年来困扰其表征工作，报道的带隙在 1 eV 的不可接受范围内变化。利用基于密度泛函理论和 HSE06 杂化泛函的第一性原理计算，我们研究了 InSe 的四种层状相的结构与电子性质，探讨了它们的相对稳定性及其基本带隙的性质，即直接带隙与间接带隙。我们的结果显示基本带隙与光学带隙之间存在巨大差异。发现其吸收系数与直接带隙 III-V 族半导体一样高。相对于常规半导体的能带排列表明其倾向于 型导电，这解释了近期的实验观测。
引用
@article{arxiv.1806.01251,
title = {Large Disparity Between Optical and Fundamental Band Gaps in Layered In2Se3},
author = {Wei Li and Fernando P. Sabino and Felipe Crasto de Lima and Tianshi Wang and Roberto H. Miwa and Anderson Janotti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01251},
year = {2018}
}