手性半导体 Ag3AuSe2 的输运与光学性质
材料科学
2022-11-14 v1
摘要
先前的能带结构计算预言 Ag3AuSe2 是一种带隙约为 1 eV 的半导体。在此,我们报道 Ag3AuSe2 的单晶生长及其输运与光学性质。Ag3AuSe2 单晶通过熔体缓慢冷却合成,并利用电子背散射衍射确认晶粒尺寸大于 2 mm。光学与输运测量表明 Ag3AuSe2 是一种高阻半导体,带隙与激活能约为 0.3 eV。我们的第一性原理计算显示,实验测得的带隙介于 GGA 与杂化泛函所预言的带隙之间。我们预言通过施加拉伸应变可实现能带反转。该带隙对 Ag/Au 有序度、化学替代和热处理敏感性值得进一步研究。
引用
@article{arxiv.2201.05699,
title = {Transport and optical properties of the chiral semiconductor Ag3AuSe2},
author = {Juyeon Won and Soyeun Kim and Martin Gutierrez-Amigo and Simon Bettler and Bumjoo Lee and Jaeseok Son and Tae Won Noh and Ion Errea and Maia G. Vergniory and Peter Abbamonte and Fahad Mahmood and Daniel P. Shoemaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.05699},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 7 figures